RJ1U330AAFRGTL Datasheet, PDF (2/14 Pages) Rohm – Nch 250V/33A Power MOSFET

RJ1U330AAFRGTL ^{　 　 　 　　 　}
lThermal resistance
Parameter
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient
Soldering temperature, wavesoldering for 10s
　 　 　 　 　 　 　 　 _Datasheet
　
　 　　　　　　　　　　　　　　　　
Symbol
R_thJC
R_thJA*4
T_sold
Values
Unit
Min. Typ. Max.
-
- 0.59 ℃/W
-
- 80 ℃/W
-
- 265 ℃
lElectrical characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Drain - Source breakdown
voltage
Zero gate voltage
drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Static drain - source
on - state resistance
Gate resistance
V_(BR)DSS V_GS = 0V, I_D = 1mA
V_DS = 250V, V_GS = 0V
I_DSS T_j = 25°C
T_j = 125°C
I_GSS V_GS = ±30V, V_DS = 0V
V_GS(th) V_DS = 10V, I_D = 1mA
V_GS = 10V, I_D = 16.5A
R_DS(on)*5 T_j = 25°C
T_j = 125°C
R_G f = 1MHz, open drain
Values
Unit
Min. Typ. Max.
250 -
-
V
　
　
　
- 0.1 1 μA
-
-
-
-
- ±100 nA
3.0 - 5.0 V
　
　
　
- 77 105 mΩ
- 165 -
- 3.0 - Ω
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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20160909 - Rev.001