BU9844GUL-W Datasheet, PDF (2/13 Pages) Rohm – Silicon Monolithic Integrated Circuit

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◇RECOMMENDED OPERATING CONDITION
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Supply Voltage
VCC
1.7～5.5
V
Input Voltage
VIN
0～VCC
V
◇DC OPERATING CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified Ta=-40～85℃､VCC=1.7～5.5V)
Parameter
“H” Input Voltage1
“L” Input Voltage1
“H” Input Voltage2
“L” Input Voltage2
“L” Output Voltage1
“L” Output Voltage2
Specification
Symbol
Unit
Min. Typ. Max.
test condition
VIH1 0.7VCC －
－
V 2.5V≦Vcc≦5.5V
VIL1
－ － 0.3VCC V 2.5V≦Vcc≦5.5V
VIH2 0.9VCC －
－
V 1.7V≦Vcc＜2.5V
VIL2
－ － 0.1VCC V 1.7V≦Vcc＜2.5V
VOL1 － － 0.3 V IOL=3.0mA，2.5V≦Vcc≦5.5V （SDA）
VOL2 － － 0.2 V IOL=1.5mA，1.7V≦Vcc＜2.5V （SDA）
Input Leakage Current
ILI
-1 －
1 μA VIN=0V～VCC
Output Leakage Current
ILO
-1 －
1 μA VOUT=0V～VCC （SDA）
Operating Current
VCC=5.5V,fSCL=400ｋHz,tWR=5ms
ICC1
－－
2.0 mA _{Byte Write}
Page Write
VCC=5.5V,fSCL=400ｋHz
ICC2
－－
0.5 mA ^{Random Read}
Current Read
Sequential Read
Standby Current
VCC=5.5V,SDA・SCL=VCC
ISB
－ － 2.0 μA
A2=GND,WP=GND
○ This product is not designed for protection against radioactive rays.
◇MEMORY CELL CHARACTERISTICS(Ta=25℃、Vcc=1.7～5.5V)
Parameter
Specification
Min.
Typ.
Max.
Write/Erase Cycle
1,000,000
－
－
Data Retention
40
－
－
Unit
cycle
year
REV. B