2SCR544P5 Datasheet, PDF (2/9 Pages) Rohm – Midium Power Transistors (80V / 2.5A)

2SCR544P5
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　 　 　 　 　 　 　 　 _Datasheet
lAbsolute maximum ratings (T_a = 25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Symbol
Values
Unit
V_CBO
80
V
V_CEO
80
V
V_EBO
6
V
I_C
2.5
A
I_CP*1
5.0
A
P_D*2
0.5
W
P_D*3
2.0
W
T_j
150
℃
T_stg
-55 to +150
℃
lElectrical characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage
BV_CBO I_C = 100μA
BV_CEO I_C = 1mA
80 -
-
V
80 -
-
V
Emitter-base breakdown voltage BV_EBO I_E = 100μA
6
-
-
V
Collector cut-off current
I_CBO V_CB = 80V
-
- 1.0 μA
Emitter cut-off current
I_EBO V_EB = 4V
-
- 1.0 μA
Collector-emitter saturation voltage V_CE(sat) I_C = 1A, I_B = 50mA
- 100 300 mV
DC current gain
h_FE V_CE = 3V, I_C = 100mA 120
-
390
-
Transition frequency
f_T
V_CE = 10V, I_E = -500mA, _-
f = 100MHz
280
-
MHz
Output capacitance
C_ob
V_CB = 10V, I_E = 0A,
f = 1MHz
-
16
-
pF
Turn-On time
Storage time
Fall time
t_on ^IC ^{= 1.3A,}
I_B1 = 130mA,
t_stg
I_B2 = -130mA,
V_CC ⋍ 10V,
t_f
R_L = 7.5Ω
See test circuit
-
50
-
ns
- 700 -
ns
-
40
-
ns
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a reference land.
*3 Mounted on a ceramic board.(40×40×0.7mm)
　　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　
　
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20150730 - Rev.001