RQ3G100GN Datasheet, PDF (1/12 Pages) Rohm – Nch 40V 10A Power MOSFET

RQ3G100GN
　　Nch 40V 10A Power MOSFET
V_DSS
R_DS(on)(Max.)
I_D
P_D
40V
14.3mΩ
±10A
2W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) High Power Package (HSMT8).
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
4) Halogen Free.
lOutline
HSMT8
　
　
　　　　　　
lInner circuit
　　 ^Datasheet
　　　　　　
　
　
　
　　　　　　
lApplication
Switching
lAbsolute maximum ratings (T_a = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Avalanche energy, single pulse
Avalanche current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
lPackaging specifications
Packing
Reel size (mm)
Type ^{Tape width (mm)}
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Embossed
Tape
330
12
3000
TB
G100GN
Symbol
Value
Unit
V_DSS
40
V
I_D
±10
A
I_D,pulse*1
±40
A
V_GSS
±20
V
E_AS*2
15.6
mJ
I_AS*2
10
A
P_D*3
2
W
T_j
150
℃
T_stg
-55 to +150
℃
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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20140328 - Rev.002 ^{　 　}