RQ3E100BN Datasheet, PDF (1/12 Pages) Rohm – Nch 30V 10A Middle Power MOSFET

RQ3E100BN
　　Nch 30V 10A Middle Power MOSFET
V_DSS
R_DS(on)(Max.)
I_D
P_D
30V
10.4mΩ
±10A
2W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) High Power Package (HSMT8).
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
4) Halogen Free.
lOutline
HSMT8
　
　
　　　　　　
lInner circuit
　　 ^Datasheet
　　　　　　
　
　
　
　　　　　　
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm)
330
lApplication
Switching
Type ^{Tape width (mm)}
Basic ordering unit (pcs)
12
3000
Taping code
TB
Marking
E100BN
lAbsolute maximum ratings (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
V_DSS
30
V
I_D
±10
A
I_D,pulse*1
±40
A
V_GSS
±20
V
P_D*2
2
W
T_j
150
℃
T_stg
-55 to +150
℃
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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20141001 - Rev.001 ^{　 　}