RN779F_16 Datasheet, PDF (1/8 Pages) Rohm – PIN Diode

RN779F
　 PIN Diodes
　　　　　　　　　
V_R
50
V
I_F
50
mA
C_t
0.9
pF
rF
7.0
Ω
●Feature
High reliability
Small mold type
Low rF
●Outline
●Inner Circuit
Data sheet
　　　
　
　
　
　
　
　
　
　
　　　
●Application
Auto Gain control　circuit
●Structure
SILICON DIFFUSED p-n JUNCTION SILICON
●Absolute Maximum Rating (T_a = 25ºC)
Parameter
Symbol
Reverse voltage
V_R
Forward current
I_F
Junction temperature
T_j
Storage temperature
T_stg
●Characteristic (T_a = 25ºC)
Parameter
Symbol
Forward voltage
V_F
Reverse current
I_R
Capacitance between terminals
C_t
High frequencyforward resistance
rF
●Packaging Specification
Packing
Embossed Tape
Reel Size(mm)
180
Taping Width(mm)
8
Basic Ordering Unit(pcs)
3000
Taping Code
T106
Marking
5M
Limits
50
50
150
-55 ～ 150
　　　　　
Conditions
I_F=10mA
V_R=50V
V_R=35V f=1.0MHz
I_F=10mA f=100MHz
　　　　　　　　
Unit
V
mA
℃
℃
Value per element
Min. Typ. Max. Unit
- - 1.0 V
- - 100 nA
- - 0.9 pF
- - 7.0 Ω
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　
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　 2017/01/24_Rev.002