English
Language : 

RDX050N50 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Rohm – 10V Drive Nch MOS FET
Transistors
10V Drive Nch MOS FET
RDX050N50
RDX050N50
Structure
Silicon N-channel MOS FET
Features
1) Low on-resistance.
2) Low input capacitance.
3) Excellent resistance to damage from static electricity.
Applications
Switching
Packaging specifications
п½µ¿¹»
Þ«´µ
̧°»
ݱ¼»
–
Þ¿-·½ ±®¼»®·²¹ «²·¬ ø°·»½»-÷ ëðð
ÎÜÈðëðÒëð
External dimensions (Unit : mm)
ÌÑóîîðÚÓ
ïðòð
íòî
ìòë
îòè
øï÷Ù¿¬»
øî÷Ü®¿·²
øí÷ͱ«®½»
ïòí
ïòî
ðòè
îòëì
îòëì
ðòéë
îòê
øï÷ øî÷ øí÷
Inner circuit
ï
î
øï÷
øî÷
øí÷
ï ÙßÌÛ ÐÎÑÌÛÝÌ×ÑÒ Ü×ÑÜÛ
î ÞÑÜÇ Ü×ÑÜÛ
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
п®¿³»¬»®
ͧ³¾±´
Ô·³·¬-
˲·¬
Ü®¿·²ó-±«®½» ª±´¬¿¹»
ÊÜÍÍ
ëðð
Ê
Ù¿¬»ó-±«®½» ª±´¬¿¹»
ÊÙÍÍ
oíð
Ê
Ü®¿·² ½«®®»²¬
ݱ²¬·²«±«-
×Ü ï
oë
ß
Ы´-»¼
×ÜÐ î
oîð
ß
ͱ«®½» ½«®®»²¬
ݱ²¬·²«±«-
×Í
ë
ß
øÞ±¼§ ¼·±¼»÷
Ы´-»¼
×ÍÐ î
îð
ß
ߪ¿´¿²½¸» ½«®®»²¬
×ßÍ í
ë
ß
ߪ¿´¿²½¸» »²»®¹§
ÛßÍ ì
ìê
³Ö
̱¬¿´ °±©»® ¼·--·°¿¬·±² ø̽ãîëpÝ÷
ÐÜ
íë
É
ݸ¿²²»´ ¬»³°»®¿¬«®»
̽¸
ïëð
pÝ
ο²¹» ±º -¬±®¿¹» ¬»³°»®¿¬«®»
Ì-¬¹
–ëë ¬± õïëð
pÝ
ï Ô·³·¬»¼ ±²´§ ¾§ ³¿¨·³«³ ¬»³°»®¿¬«®» ¿´´±©»¼ î Щ ïðk-ô Ü«¬§ ½§½´» ïû
í Ô ã íòî³Ø ÊÜÜãçðÊ Î¹ãîë
ì Ô ã íòî³Ø ÊÜÜãçðÊ Î¹ãîë -¬¿®¬·²¹ ̽¸ãîëpÝ
øï÷ Ù¿¬»
øî÷ Ü®¿·²
øí÷ ͱ«®½»
Thermal resistance
п®¿³»¬»®
ݸ¿²²»´ ¬± ½¿-»
ͧ³¾±´
ά¸ø½¸ó½÷
Ô·³·¬-
íòëé
˲·¬
pÝñÉ
1/2