RBQ10B65A Datasheet, PDF (1/5 Pages) Rohm – Schottky Barrier Diode

Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RBQ10B65A
Applications
General rectification
Features
1)Power mold type. (CPD)
2)Low I_R
3)High reliability
Construction
Silicon epitaxial planer
Dimensions (Unit : mm)
C0.5
6.5±0.2
5.1±0.2
0.1
2.3±0.2
0.1
0.5±0.1
Land size figure (Unit : mm)
6.0

0.9
（1） （2） （3）
0.75
0.65±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
ROHM : CPD
JEITA : SC-63
 _{Manufacture Date}
1.6
1.6
0.5±0.1
1.0±0.2
CPD 2.3 2.3
Structure
　　　　Taping specifications (Unit : mm)
Absolute maximum ratings（Tc=25°C）
Parameter
Symbol
Reverse voltage (repetitive peak) V_RM
Reverse voltage (DC)
V_R
Average rectified forward current (*1)
Io
Forward current surge peak （60Hz・1cyc）（*2）
Junction temperature
I_FSM
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1)　Business frequencies, 1/2 Io per diode.
(*2)　Per diode.
Limits
65
65
10
50
150
−40 to +150
Electrical characteristics（Tj=25°C）
Parameter
Symbol Min.
Typ.
Max.
Forward voltage
V_F
-
-
0.69
Reverse current
I_R
-
-
0.15
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Unit
Conditions
V
I_F=5A
mA
V_R=65V
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2012.01 - Rev.A