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| RB886Y_08 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Rohm – Schottky barrier diode | |||
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Diodes
Schottky barrier diode
RB886Y
RB886Y
zApplications
High frequency detection
zFeatures
1) Ultra small mold type. (EMD4)
2) Low Ct and high detection efficiency.
zConstruction
Silicon epitaxial planar
zDimensions (Unit : mm)
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zLand size figure (Unit : mm)
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zStructure ã©·
zTaping specifications (Unit : mm)
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zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)
Parameter
Symbol
Reverse voltage
VR
Forward current
IF
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1) Rate of per diode
Limits
15
10
125
-40 to +125
zElectrical characteristics (Ta=25qC)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max.
Forward voltage
VF
Reverse currnt
IR
Capacitance between terminals Ct
-
- 0.35
-
-
120
-
0.53 0.80
Unit
V
mA
ã·
ã·
Unit
Conditions
V
IF=1mA
μA
VR=5V
pF
VR=1.0V , f=1MHz
Rev.A
1/2
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