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| RB861YT2R Datasheet, PDF (1/3 Pages) Rohm – Schottky barrier diode | |||
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Diodes
Schottky barrier diode
RB861Y
RB861Y
zApplications
High frequency detection
zFeatures
1) Ultra small mold type. (EMD4)
2) Low Ct and high detectionefficiency.
zDimensions (Unit : mm)
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zConstruction
Silicon epitaxial planar
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zLand size figure (Unit : mm)
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zStructure
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zTaping specifications (Unit : mm)
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zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)
Parameter
Symbol
Reverse voltage
VR
Forward current
IF
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1) Rating of per diode
zElectrical characteristics (Ta=25qC)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminal
Symbol
VF
IR
Ct
Limits
5
10
125
-40 to +125
Min. Typ. Max.
-
-
0.29
-
-
30
-
0.85 1.10
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Unit
V
mA
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Unit
Conditions
V
IF=1mA
μA
VR=1V
pF
VR=0V , f=1MHz
Rev.B 1/2
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