QH8JA1 Datasheet, PDF (1/14 Pages) Rohm – -20V Pch +Pch Middle Power MOSFET

QH8JA1
　　-20V Pch +Pch Middle Power MOSFET
V_DSS
R_DS(on)(Max.)
I_D
P_D
-20V
38mΩ
±5.0A
1.5W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) Small surface mount package(TSMT8)
3) -1.8V Drive.
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lOutline
TSMT8
　
　　　　　　
lInner circuit
　　 ^Datasheet
　
lApplication
Switching
lPackaging specifications
Packing
Reel size (mm)
Type ^{Tape width (mm)}
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Embossed
Tape
180
8
3000
TCR
JA1
lAbsolute maximum ratings (T_a = 25°C ,unless otherwise specified) <Tr1 and Tr2>
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
V_DSS
-20
V
Continuous drain current
I_D*1
±5.0
A
Pulsed drain current
I_DP*2
±18
A
Gate - Source voltage
V_GSS
±10
V
Avalanche current, single pulse
I_AS*3
-5.0
A
Avalanche energy, single pulse
E_AS*3
8.9
mJ
Power dissipation (total)
P_D*4
1.5
W
P_D*5
1.1
Junction temperature
T_j
150
℃
Operating junction and storage temperature range
T_stg
-55 to +150
℃
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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20151210 - Rev.001