|
FMN1_1 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Rohm – Switching diode | |||
|
Diodes
Switching diode
FMN1
zApplication
Ultra high speed switching
zFeatures
1) Small mold type. (SMD5)
2) High reliability
zConstruction
Silicon epitaxial planar
zDimensions (Unit : mm)
r
㧠ฦà¡E࡯aà ¼chߣlß½eaหdá¸há´ºas same dimension
Þã§
r
Þ Þ Þ
r
㨪
r
r
㪩㪦ãªãª¤ã©·ãªã©·ãªªãª¤ãªãª
㪡ãªãª 㪫ãªã©·ãªã©·ãªªãªãªãªãªãª
ã«ãª¼ãª¼ã«ã©·ãªºã«ãª»ãª¼
zTaping specifications (Unit : mm)
ãªãª
ãªã«§ãªãª
ãª
ãªãª
ãªã«§ãªãª
ãªãª
ã±¢ãªãª
ãªã«§ãªãª
ãª
äääääã©·ã©·ãª
FMN1
zLand size figure (Unit : mm)
ãªãª
ãªãª¤ãª 㪥ãª
ãªãª
ãªãª ãªãª
ãªãª ãªãª
ãªãª ãªãª
ãªãª
ãªãª
ãª
ãªãª
ãªãª ãªãª
ãªãª
㪪㪤ãªãª
ãªãª
ãª
zStructure ã©·
ãªãª
ãªã«§ãªãª
ãª
ãªãª
ãªã«§ãªãª
ãª
ãªãª
ãªã«§ãªãª
ãª
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)
Parameter
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage (DC)
Forward currentÍSingleÍ
Average rectified forward current
Surge current(t=1us)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VRM
VR
IFM
Io
Isurge
Pd
Tj
Tstg
Limits
80
80
80
25
250
80
150
-55 to +150
zElectrical characteristics (Ta=25qC)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max.
Unit
Forward voltage
VF
-
-
0.9
V
Reverse current
IR
-
-
0.1
μA
Capacitance between terminals
Ct
-
-
3.5
pF
Reverse recovery time
trr
-
-
4
ns
ã±¢ãªãª
ãªãª¤ãª 㪥
Unit
V
V
mA
mA
mA
mW
ã·
ã·
Conditions
IF=5mA
VR=70V
VR=6V , f=1MHz
VR=6V , IF=5mA , RL=50ã±
Rev.C
ãªãª
ãªãªã«§ãªãª
ãª
1/2
|
▷ |