MIP2E4DMY Datasheet, PDF (1/3 Pages) Panasonic Semiconductor – MIP2E4DMY

ΠϯςϦδΣϯτύϫʔσόΠε(IPD)
MIP2E4DMY
γϦίϯ MOS ੵूܗճ࿏
I ಛɹ௕
• ܰෛՙ࣌ͷফඅిྗΛେ෯ʹ࡟ݮ
• ֤छอޢճ࿏ػೳ಺ଂʹΑΓϦΞϧλΠϜͷอ͕ޢՄೳ
I ༻ɹ్
• εΠονϯάి༻ޚ੍ݯ
I ઈର࠷େఆ֨ T_a = 25°C ± 3°C
߲໨
߸ه
υϨΠϯిѹ
V_D
ίϯτϩʔϧిѹ
V_C
ग़ྗిྲྀ
I_D
ग़ྗϐʔΫిྲྀ
I_DP
ίϯτϩʔϧిྲྀ
I_C
νϟωϧ෦Թ౓
T_ch
อଘԹ౓
T_stg
ఆ֨
700
10
1.72
2.4
0.1
150
−55 ∼ +150
୯Ґ
V
V
A
A
A
°C
°C
10.5±0.5
9.5±0.2
8.0±0.2
Unit : mm
4.5±0.2
1.4±0.1
φ 3.7±0.2
1.4±0.1
0.8±0.1
2.54±0.3
5.08±0.5
2.5±0.2
0.6^{+–00..21}
123
1 : Control
2 : Source
3 : Drain
TO-220-A1 Package
໊ܗදࣔ ߸ه: MIP2E4DMY
I ϒϩοΫਤ
Control ¹
ΤϥʔΞϯϓ
ثৼൃ
ܰෛՙݕग़
༻ޚ੍ৼൃܽؒ
ىಈ༻ఆిྲྀ
಺෦ిڅڙݯ
λΠϚ
ؒܽಈ࡞ճ࿏
3 _Drain
ա೤อޢճ࿏ _{S Q}
ى࠶ಈτϦΨ ^{R Q}
ήʔτ ύϫʔ
υϥΠόMOSFET
Max Duty
Clock
Sawtooth
V-Iมث׵
εϩʔϓ
ิঈ
SQ
RQ
Φϯ࣌
ϒϥϯΩϯά
ύϧεൃੜճ࿏
աిྲྀ
อޢ
υϨΠϯిྲྀ
ݕग़༻
2
Source
ൃߦ೥݄ : 2001೥8݄
SLB00030BJD
1