LSA670 Datasheet, PDF (4/15 Pages) Siemens Semiconductor Group – SIDELED

LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670
Kennwerte
Characteristics
(T_A = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I_F = 10 mA
Dominantwellenlänge^{5) Seite 15}
Dominant wavelength^{5) page 15}
I_F = 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % I_{rel max}
Spectral bandwidth at 50 % I_{rel max}
I_F = 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 % I_V (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % I_V
Durchlassspannung^{6) Seite 15}
Forward voltage^{6) page 15}
I_F = 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V_R = 12 V
Temperaturkoeffizient von λ_peak
Temperature coefficient of λ_peak
I_F = 10 mA; –10°C ≤ T ≤ 100°C
Temperaturkoeffizient von λ_dom
Temperature coefficient of λ_dom
I_F = 10 mA; –10°C ≤ T ≤ 100°C
Temperaturkoeffizient von V_F
Temperature coefficient of V_F
I_F = 10 mA; –10°C ≤ T ≤ 100°C
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
I_F = 10 mA
* Einzelgruppen siehe Seite 5
Individual groups on page 5
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
(typ.) λ_peak
635 610 586 572 557 nm
λ_dom
(typ.) ∆λ
628 606* 587* 570 560 nm
± 6 –6/+3 –7/+8 ± 6 ± 6
45 40 45 25 22 nm
(typ.) 2ϕ
(typ.) V_F
(max.) V_F
120 120 120 120 120 Grad
deg.
2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 V
2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 V
(typ.) I_R
(max.) I_R
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10 10 10 10 10 µA
(typ.) TC_λpeak 0.11 0.12 0.10 0.11 0.11 nm/K
(typ.) TC_λdom 0.07 0.07 0.07 0.07 0.05 nm/K
(typ.) TC_V
–1.9 –1.9 –1.9 –1.4 –2.1 mV/K
(typ.) η_opt
1.5 1.5 1.5 2.5 0.6 lm/W
2006-10-04
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