LETQ9WM-JXKX-25 Datasheet, PDF (4/21 Pages) OSRAM GmbH – Compact light source in SMT technology

Version 2.2 (not for new design)
LE T Q9WM
Characteristics (T_S = 25 °C; I_F = 350 mA)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength at peak emission
Wellenlänge d. emittierten Lichtes
Dominant Wavelength ^{2) page 20}
Dominantwellenlänge ^{2) Seite 20}
Spectral bandwidth at 50% I_{rel max}
Spektrale Bandbreite b. 50% I_{rel max}
Viewing angle at 50 % I_V
Abstrahlwinkel bei 50 % I_V
Forward voltage ^{3) page 20}
Durchlassspannung ^{3) Seite 20}
Reverse current
Sperrstrom
Partial Flux acc. CIE 127:2007
Partieller Fluss
(Φ_{V 120°} = x * Φ_{V 180°})
Radiating surface
Abstrahlende Fläche
Real thermal resistance junction / solder point
4) page 20
Realer Wärmewiderstand Sperrschicht / Lötpad
4) Seite 20
(typ.)
(min.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(typ.)
(min.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(max.)
"Electrical" thermal resistance junction / solder point
4) page 20
"Elektrischer" Wärmewiderstand Sperrschicht /
Lötpad ^{4) Seite 20}
(with efficiency η_e = 9 %)
(typ.)
(max.)
Symbol
Symbol
λ_peak
λ_dom
λ_dom
λ_dom
∆λ
Values
Werte
522
518
525
542
33
Unit
Einheit
nm
nm
nm
nm
nm
2ϕ
120
°
V_F
V_F
V_F
I_R
Φ_{E/V, 120°}
2.70
V
3.50
V
3.80
V
not designed for
reverse operation
0.82
A_color
R_{th JS real}
R_{th JS real}
0.65 x 0.65
20
24
mm²
K/W
K/W
R_{th JS el}
R_{th JS el}
18.2
K/W
21.8
K/W
2015-11-27
4