Q65110A2701 Datasheet, PDF (2/8 Pages) OSRAM GmbH – Silizium-PIN-Fotodiode in SMT und als Reverse Gullwing

Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, T_A = 25 ° C
Total power dissipation
BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 SR
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
V_R
P_tot
Wert
Value
– 40 … + 100
Einheit
Unit
°C
32
V
150
mW
Kennwerte (T_A = 25 ° C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (T_A = 25 ° C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Fotoempfindlichkeit, V_R = 5 V
S
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ_{S max}
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ
S = 10% von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L× B
L× W
Halbwinkel
ϕ
Half angle
Dunkelstrom, V_R = 10 V
I_R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
S_λ
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
η
Quantum yield
Leerlaufspannung, E_v = 1000 Ix
V_O
Open-circuit voltage
Wert
Value
80 (≥50)
850
400 … 1100
Einheit
Unit
nA/Ix
nm
nm
7.00
2.65 × 2.65
mm²
mm × mm
± 60
2 (≤30)
0.62
0.90
365 (≥ 300)
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
2007-05-23
2