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SFH4860 Datasheet, PDF (1/7 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm | |||
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GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4860
Wesentliche Merkmale
⢠Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
⢠Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
⢠Hohe Zuverlässigkeit
⢠Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
⢠Hermetisch dichtes Metallgehäuse
Anwendungen
⢠Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
⢠IR-Gerätefernsteuerungen
⢠Sensorik
⢠Lichtgitter
Features
⢠Fabricated in a liquid phase epitaxy process
⢠Cathode is electrically connected to the case
⢠High reliability
⢠Matches all Si-Photodetectors
⢠Hermetically sealed package
Applications
⢠Photointerrupters
⢠IR remote control
⢠Sensor technology
⢠Light curtains
Typ
Type
SFH 4860
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P5053
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10ââ)
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 (TO-18), flat glass cap, lead spacing
2.54 mm (1/10ââ)
anode making: projection at package bottom
2007-12-07
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