SFH464E7800 Datasheet, PDF (1/10 Pages) OSRAM GmbH – GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)

2014-01-16
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm)
Version 1.1
SFH 464 E7800
Features:
• Radiation without IR in the visible red range
• Cathode is electrically connected to the case
• High reliability
• Short switching times
• Same package as BP 103, LD 242
• DIN humidity category in acc. with DIN 40 040 GQG
Besondere Merkmale:
• Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Kurze Schaltzeiten
• Gehäusegleich mit BP 103, LD 242
• Anwendungsklassen nach DIN 40 040 GQG
Applications
• Photointerrupters
• Fiber optic transmission
• Sensor technology
• Light curtains
Anwendungen
• Lichtschranken
• LWL
• Sensorik
• Lichtgitter
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2014-01-16
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