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SFH4200 Datasheet, PDF (1/7 Pages) Infineon Technologies AG – Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm),High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm)
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode
High Power Infrared Emitter
SFH 4200
SFH 4205
SFH 4200
SFH 4205
Wesentliche Merkmale
• Leistungsstarke GaAs-LED (35mW)
• Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen
• Homogene Abstrahlung
• Typische Peakwellenlänge 950nm
• IR Reflow und TTW Löten geeignet
• Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC
Standard J-STD-020A
Anwendungen
• Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
• Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalübertragung
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR Freiraumübertragung
• IR-Scheinwerfer für Kameras
Features
• High Power GaAs-LED (35mW)
• High Efficiency at low currents
• Homogeneous Radiation Pattern
• Typical peak wavelength 950nm
• Suitable for IR reflow and TTW soldering
• Moisture Sensitivity Level 2 according to
JEDEC Standard J-STD-020A
Applications
• High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
• Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
• IR spotlight for cameras
Typ
Type
SFH 4200
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P978
Strahlstärkegruppierung 1) (IF = 100mA, tp = 20 ms)
Radiant intensity grouping 1)
Ie (mW/sr)
10.5 (>4)
SFH 4205
Q62702-P5165 10.5 (>4)
1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
2003-12-09
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