SFH3410 Datasheet, PDF (1/5 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik

NPN-Si-Fototransistor mit V_λ Charakteristik
Silicon NPN Phototransistor with V_λ Characteristics
SFH 3410
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 350 nm bis 970 nm
• Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (V_λ)
• SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
(JEDEC level 4)
• Nur gegurtet lieferbar
Features
• Especially suitable for applications from
350 nm to 970 nm
• Adapted to human eye sensitivity (V_λ)
• SMT package without base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow soldering
(JEDEC level 4)
• Only available on tape and reel
Anwendungen
• Umgebungslicht-Detektor
• Beleuchtungsmesser
• Dimmungssensor für Hintergrundbeleuchtung
• „Messen/Steuern/Regeln“
Applications
• Ambient light detector
• Exposure meter for daylight and artificial light
• Sensor for Backlight-Dimming
• For control and drive circuits
tSilicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Fotostrom E_v = 20 lx, Standard light A, V_CE = 5 V
Photocurrent
Ipce (µA)
SFH 3410
SFH 3410 -1/2
SFH 3410 -2/3
SFH 3410 -3/4
Q62702-P5160
Q65110A0049
Q65110A0050
Q65110A0051
>3.2
3.2…10
5…16
8…25
2002-12-18
1