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LEAG3W Datasheet, PDF (1/19 Pages) OSRAM GmbH – Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant | |||
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OSRAM OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE A G3W, LE T G3W, LE B G3W
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
⢠Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie mit
Glasabdeckung
⢠Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
Helligkeit und Leuchtdichte dank
Oberflächenemission und niedrigem Rth
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
⢠Wellenlänge: 617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
⢠Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
⢠Abstrahlende Fläche: typ. 3,2 x 2,1 mm²
⢠Technologie: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
⢠Leuchtdichte: 26*106 cd/m² (amber);
41*106 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue)
⢠Montierbarkeit: verschraubbar
⢠Stecker: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
⢠ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-D
⢠Verpackungseinheit: 50 St. pro Box
= Verpackungseinheit
⢠Erweiterte Korrosionsfestigkeit:
Details siehe Seite 14
Features
⢠package: compact lightsource in multi chip on
board technology with glass window on top
⢠feature of the device: outstanding brightness
and luminance due to pure surface emission
and low Rth
prepared for additional optics
⢠wavelength: 617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
⢠viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
⢠light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm²
⢠technology: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
⢠Luminance: 26*106 cd/m² (amber);
41*106 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue)
⢠mounting methods: screw holes
⢠connector: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
⢠ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-D
⢠method of packing: 50 pcs. per tray
= packing unit
⢠Superior Corrosion Robustness:
details see page 14
Anwendungen
⢠Projektion
⢠Medizintechnik: Operationslampen
⢠Strahler für die Allgemeinbeleuchtung
Applications
⢠projection
⢠medical lighting: surgery light
⢠spotlights
2010-03-03
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