LD242 Datasheet, PDF (1/7 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LD 242
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Großer Öffnungskegel
• Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
Features
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process
• Cathode is electrically connected to the case
• High reliability
• Wide beam
• Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• DIN humidity caregory in acc. with
DIN 40 040 GQG
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Lichtgitter
Applications
• Photointerrupters
• Sensor technology
• Light curtains
Typ
Type
LD 242-2/3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703Q4749
Strahlstärkegruppierung ¹⁾ (I_F = 100 mA, t_p = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping ¹⁾
I_e (mW/sr)
> 4.0
LD 242 E7800
Q62703Q3509
1 - 3.2
1) _{gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr}
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
2007-12-07
1