F2000D Datasheet, PDF (1/6 Pages) OSRAM GmbH – InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)

InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux)
InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
F 2000D
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Optimierte Lichtauskopplung durch
Oberflächenstrukturierung und Stromverteilung
• Chipgröße 700 x 700 µm²
• Wellenlänge (typ.) : 617 nm
• Technologie:InGaAIP
• Typ. Lichtfluß: 20 lm @ 400 mA (gepulst, im
Golden Dragon^® Gehäuse).
Feature
• Optimized light extraction due to surface
structuring and current distribution
• Chip size 700 x 700 µm²
• Wavelength (typ.): 617 nm
• Technology: InGaAIP
• Typ. luminous flux: 20 lm @ 400 mA (pulsed, in
Golden Dragon^® package)
Anwendungen
• Ampeln
• Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,
Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
• Beleuchtung im Automobilbereich
(z.B. Instrumentenbeleuchtung, Bremslichter
und Blinklichter)
• Ersatz von Kleinst-Glühlampen
• Tragbare Beleuchtung
• Fassadenbeleuchtung im Innen- und
Außenbereich
Applications
• Traffic lights
• Backlighting (LCD, cellular phones, switches,
keys, displays, illuminated advertising,general
lighting)
• Automotive lighting (e.g. dashboard
backlighting, brake lights, turn signal lamps,
etc.)
• Substitution of micro incandescent lamps
• Portable light source
• Indoor and outdoor commercial and residential
architectural lighting
Typ
Type
F 2000D
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A0981
Beschreibung
Description
Rot emittierender Chip mit optimierter Lichtauskopplung
durch Oberflächenstrukturierung, Oberseite Anodenan-
schluss
Red emitting chip with optimized light extraction due to sur-
face structuring, top side anode connection
2003-04-15
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