MJH16006A Datasheet, PDF (6/10 Pages) Motorola, Inc – POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 500 VOLTS 150 WATTS

MJH16006A
GUARANTEED SAFE OPERATING AREA LIMITS
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ 20
100 ns
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ ¹⁰
5
1 ms 10 µs
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ ₃
TC = 25°C
dc
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ ₂
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ 1
BONDING WIRE LIMIT
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ 0.5
THERMAL LIMIT
II
0.3
SECOND BREAKDOWN
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ _0.2
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ _{0.1 REGION II — EXPANDED FBSOA USING}
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ REGION II — MUR8100 ULTRA–FAST
REGION II — RECTIFIER, SEE FIGURE 17
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ _0.02
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ ^0.1
1
10
100
1000 2000
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ 20
10
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ ₅
TC = 25°C
1 ms
3
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ 2
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ 1 REGIONII—
dc
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ ^{0.5 EXPANDEDFBSOAUSING}
0.3 ^{MUR8100 ULTRA–FAST}
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ _0.2 RECTIFIER, SEE FIGURE 17
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ _0.1
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ _0.02
ÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉÉ ^0.1
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN
1
10
100 ns
10 µs
II
100
1000 2000
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
a. MJ16006A
a. MJH16006A
Figure 14. Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area
20
16
12
8 _{IC/IB1 ≥ 4}
TJ ≤ 100°C
4
VBE(off) = 5 V
VBE(off) = 0 V
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 100
VCE(pk), COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
Figure 15. Maximum Reverse Biased
Safe Operating Area
100
80
SECOND BREAKDOWN DERATING
60 _{THERMAL DERATING}
40
20
0
0
40
80
120
160
200
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 16. Power Derating
+15
1 µF
150 Ω 100 Ω
100 µF
MTP8P10
VCE (1000 V MAX)
10 µF
MTP8P10
10 mH _MUR8100
+10
50 Ω
MPF930
MPF930
MUR105
RB1 _MUR1100
MUR105
RB2
MTP12N10
T.U.T.
500 µF
MJE210
150 Ω
1 µF
Voff
Note: Test Circuit for Ultra–fast FBSOA
Note: RB2 = 0 and VOff = – 5 Volts
Figure 17. Switching Safe Operating Area
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data