ATP101 Datasheet, PDF (4/7 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ATP101
--10
VDS= --15V
--9 _{ID= --25A}
--8
VGS -- Qg
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15320
PD -- Tc
35
ASO
2
--100 IDP = --75A
7
5
3
ID= --25A
2
--10
7
5
3
Operation in
2
this area is
--1.0
limited by R _DS(on).
7
5
PW≤10μs
10m1sms
100_μs
10_μs
DC _operation
3
2 Tc=25°C
--0.1 ^{Single pulse}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT15321
EAS -- Ta
120
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc -- °C
IT15322
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT10478
No. A1646-4/7