MCH3144 Datasheet, PDF (2/6 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications

MCH3144
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=--30V, IE=0A
VEB=--4V, IC=0A
VCE=--2V, IC=--100mA
VCE=--10V, IC=--300mA
VCB=--10V, f=1MHz
IC=--1.5A, IB=--75mA
IC=--1.5A, IB=--75mA
IC=--10μA, IE=0A
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
OUTPUT
RL=24Ω
50Ω
+
+
100μF
470μF
VBE=5V
VCC= --12V
IC=20IB1= --20IB2= --500mA
Ratings
min
typ
200
440
17
--170
--0.94
--30
--30
--5
45
200
23
max
--0.1
--0.1
560
--260
--1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Ordering Information
Device
MCH3144-TL-E
Package
MCPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
IC -- VCE
--2.0
--1.8
--40mA--30mA
--20mA
--15mA
--1.6
--10mA
--1.4
--8mA
--1.2
--6mA
--1.0
--0.8
--4mA
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
IB=0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT09080
--2.00
VCE= --2V
--1.75
IC -- VBE
--1.50
--1.25
--1.00
--0.75
--0.50
--0.25
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT09082
No.8210-2/6