CPH5524-TL-E Datasheet, PDF (2/8 Pages) ON Semiconductor – Bipolar Transistor

CPH5524
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)1
Conditions
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
50Ω
RB
+
100μF
VBE= --5V
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
OUTPUT
RL
+
470μF
VCC=25V
Ratings
min
typ
200
(--50)100
(--)50
(--)6
(390)380
(24)13
(--115)
90
(--240)
160
(--)0.88
(30)35
(230)300
(18)25
max
(--)1
(--)1
560
(--230)
130
(--650)
240
(--)1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Ordering Information
Device
CPH5524-TL-E
Package
CPH5
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
No. A0859-2/8