CPH5518 Datasheet, PDF (2/8 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications

CPH5518
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)300mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)300A, IB=(--)6mA
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
INPUT
RB
VR
50Ω
+
100μF
+
470μF
OUTPUT
RL=24Ω
VBE= --5V
VCC=25V
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
min
200
(--50)80
(--)50
(--)5
Ratings
typ
420
(9)6
(--230)130
(--125)90
(--)0.81
(36)38
(173)332
(28)40
max
(--)0.1
(--)0.1
560
(--380)190
(--200)135
(--)1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Ordering Information
Device
CPH5518-TL-E
CPH5518-TL-H
Package
CPH5
CPH5
Shipping
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
Pb Free and Halogen Free
No. A0492-2/8