CPH5517-TL-E Datasheet, PDF (2/8 Pages) ON Semiconductor – Bipolar Transistor

CPH5517
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)300mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)300mA, IB=(--)6mA
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
IB1
DC≤1%
IB2
INPUT
RB
VR
50Ω
+
100μF
+
470μF
OUTPUT
24Ω
VBE= --5V
VCC=25V
20IB1= --20IB2= IC=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
Ordering Information
Device
CPH5517-TL-E
Package
CPH5
Shipping
3,000pcs./reel
Ratings
min
typ
200
(--50)60
(--)50
(--)5
420
(9)6
(--280)
130
(--145)
90
(--)0.81
(36)38
(173)332
(28)40
max
(--)0.1
(--)0.1
560
(--430)
190
(--220)
135
(--)1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
memo
Pb Free
No.8987-2/7