CPH3122 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

CPH3122
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector to Emitter Saturation Voltage
Base to Emitter Saturation Voltage
Collector to Base Breakdown Voltage
Collector to Emitter Breakdown Voltage
Emitter to Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB= --30V, IE=0A
VEB= --4V, IC=0A
VCE= --2V, IC= --500mA
VCE= --10V, IC= --500mA
VCB= --10V, f=1MHz
IC= --1.5A, IB= --30mA
IC= --1.5A, IB= --75mA
IC= --1.5A, IB= --30mA
IC= --10μA, IE=0A
IC= --1mA, RBE=∞
IE= --10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
50Ω
RB
+
100μF
RL
=24Ω
+
470μF
VBE=5V
VCC= --12V
IC=20IB1= --20IB2= --500mA
Ratings
min
typ
200
400
25
--180
--120
--0.83
--30
--30
--5
50
270
27
max
--0.1
--0.1
560
--270
--180
--1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Ordering Information
Device
CPH3122-TL-E
Package
CPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
IC -- VCE
--2.0
--1.8
--20mA
--10mA
--1.6
--8mA
--1.4
--6mA
--1.2
--1.0
--4mA
--0.8
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
IB=0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Collector to Emitter Voltage, VCE -- V IT04603
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
IC -- VBE
VCE= --2V
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base to Emitter Voltage, VBE -- V IT04605
No.7220-2/4