2SD1207T Datasheet, PDF (2/5 Pages) ON Semiconductor – Large-Current Switching Applications

2SB892 / 2SD1207
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Parameter
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Symbol
Conditions
hFE1*
hFE2
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
* : The 2SB892 / 2SD1207 are graded as follows by hFE at 100mA :
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200 140 to 280 200 to 400 280 to 560
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7520-002
6.0
4.7
5.0
min
100
40
(--)60
(--)50
(--)6
Ratings
typ
150
(22)12
(--0.3)0.15
(--)0.9
max
560
(--0.7)0.4
(--)1.2
Unit
MHz
pF
V
V
V
V
V
0.5
0.6
0.5
0.5
123
1.45
1.45
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
--2.4
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
0
0
IC -- VCE
2SB892
--20mA--10m-A-8mA
--6mA
--4mA
--2mA
IB=0mA
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08646
IC -- VCE
2.4
50mA
2SD1207
2.0
40mA
25mA
1.6
15mA
1.2
8mA
0.8
4mA
0.4
2mA
0
IB=0mA
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08647
No.930-2/5