NSB9435T1G_10 Datasheet, PDF (1/5 Pages) ON Semiconductor – High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1G
High Current Bias Resistor
Transistor
PNP Silicon
Features
• Collector −Emitter Sustaining Voltage −
V_CEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ I_C = 10 mAdc
• High DC Current Gain −
h_FE = 125 (Min) @ I_C = 0.8 Adc
= 90 (Min) @ I_C = 3.0 Adc
• Low Collector −Emitter Saturation Voltage −
V_CE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ I_C = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ I_C = 3.0 Adc
• SOT−223 Surface Mount Packaging
• ESD Rating − Human Body Model: Class 1B
− Machine Model: Class B
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS (T_C = 25°C unless otherwise noted)
Rating
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Emitter Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter−Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base Current − Continuous}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector Current − Continuous}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ − Peak
Symbol Value Unit
V_CEO
30
Vdc
V_CB
45
Vdc
V_EB
± 6.0 Vdc
I_B
1.0
Adc
I_C
3.0
Adc
5.0
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Total Power Dissipation @ TC = 25_C}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Derate above 25_C
P_D
3.0
W
24 mW/_C
Total P_D @ T_A = 25_C mounted on 1″ sq.
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd}
1.56
W
material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Total PD @ TA = 25_C mounted on 0.012″}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd}
0.72
W
material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Operating and Storage Junction}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{Temperature Range}
T_J, T_stg – 55 to
_C
+ 150
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
http://onsemi.com
POWER BJT
I_C = 3.0 AMPERES
BV_CEO = 30 VOLTS
V_CE(sat) = 0.275 VOLTS
COLLECTOR 2,4
BASE
1
EMITTER 3
SOT−223
CASE 318E
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
AYW
9435R G
G
1
A
= Assembly Location
Y
= Year
W
= Work Week
9435R = Device Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping^†
NSB9435T1G
SOT−223
(Pb−Free)
1000/Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
1
September, 2010 − Rev. 6
Publication Order Number:
NSB9435T1/D