NTE5587 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NTE Electronics – Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

NTE5587, NTE5589, NTE5593
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Features:
D Low On–State Voltage
D High di/dt
D High dv/dt
D Excellent Surge and I²t Ratings
Applications:
D Power Supplies
D Battery Chargers
D Motor Controls
Absolute Maximum Ratingsand Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Voltages, V_DRM & V_RRM
NTE5587 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5589 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5593 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
RMS On–State Current, I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A
Average On–State Current, I_T(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350
Peak One–Cycle, Non–Repetitive On–State Surge Current, I_TSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9100A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10,000A
Critical Rate–of–Rise of On–State Current, di/dt
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A/µs
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800A/µs
I²t fo Fusing (8.2ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416,000A²sec
Peak Gate Power Dissipation, P_GM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W
Average Gate Power Dissipation, P_G(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
Peak On–State Voltage (I_TM = 625A, T_J = +25°C), V_TM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V
Peak Forward Leakage Current (At V_DRM, T_J = +125°C), I_DRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Peak Reverse Leakage Current (At V_RRM, T_J = +125°C), I_RRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Gate Current to Trigger (V_D = 12V, T_J = +25°C), I_GT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Gate Voltage to Trigger (V_D = 12V, T_J = +25°C), V_GT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Non–Triggering Gate Voltage (At V_DRM, T_J = +125°C), V_GDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.15V