NTE5584 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NTE Electronics – Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

NTE5580 thru NTE5585
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Features:
D Center Fired Gate
D All Diffused Design
D Low Gate Current
D Low Thermal Impedance
D High Surge
Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Off−State and Reverse Voltage, V_DRM & V_RRM
NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5584 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5585 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Maximum RMS On−State Current, I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275A
Maximum Average On−State Current, I_T(AV)
T_C = +88°C, 180° conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A
T_C = +80°C, 3 phase conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135A
Maximum Peak One−Cycle, Non−Repetitive Surge Current, I_TSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3200A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3500A
Maximum I²t for Fusing (1.5msec), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32,000A²sec
Peak On−State Voltage (T_J = +25°C, 180° conduction, Rated I_T(AV)), V_TM . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7V
Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W
Typical Turn−Off Time (T_J = 125°C), t_q . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250µs
Rate−of−Rise of Turned−On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs
Operating Junction Temperature Range, T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C
Maximum Reverse Recovered Charge (T_J = +25°C), Q_RR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µc
Maximum Critical Rate−of−Rise of Off−State Voltage, dV/dt
Exponential @ Max. Rated T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
Maximum Required Gate Current to Trigger, I_GT
T_J = −40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
T_J = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Maximum Required Gate Voltage to Trigger (T_J = −40° to +125°C), V_GT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Peak On−State Voltage, V_F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Note 1
Maximum Stud Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 In−Lbs (33.9 N−M)
Note 1. V_F = A + B S L_N(I) + C S I + D√I
Where: I_MIN = 10A
I_MAX = 3000A
A = .523
B = .022
C = .0005
D = .038