NTE2980 Datasheet, PDF (1/3 Pages) NTE Electronics – Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

NTE2980
Logic Level MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Dynamic dv/dt Rating
D Logic Level Gate Drive
D R_DS(on) Specified at V_GS = 4V & 5V
D Fast Switching
Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, I_D
Continuous (V_GS = 5V)
T_C = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.7A
T_C = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.9A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31A
Total Power Dissipation (T_C = +25°C), P_D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.20W/°C
Total Power Dissipation (PC Board Mount, T_C = +25°C, Note 2), P_D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.02W/°C
Gate–Source Voltage, V_GS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10V
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E_AS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, T_stg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), T_L . . . . . . . . . . +260°C
Maximum Thermal Resistance:
Junction–to–Case, R_thJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0°C/W
Junction–to–Ambient (PCB Mount, Note 2), R_thJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W
Junction–to–Ambient, R_thJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110°C/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. When mounted on a 1” square PCB (FR–4 or G–10 material).
Note 3. L = 924µH, V_DD = 25V, R_G = 25Ω, Starting T_J = +25°C, I_AS = 7.7A.
Note 4. I_SD ≤ 10A, di/dt ≤ 90A/µs, V_DD ≤ V_(BR)DSS, T_J ≤ +150°C.