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NTE2953 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NTE Electronics – MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch | |||
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NTE2953
MOSFET
NâChannel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
D Motor Control
D Lamp Control
D Solenoid Control
D DCâDC Converter
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
DrainâSource Voltage (VGS = 0V), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
GateâSource Voltage (VDS = 0V), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Drain Current, ID
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 100µH), IDA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A
Source Current, IS
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W
Channel Temperature Range, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . â55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . â55° to +150°C
Thermal Resistance, ChannelâtoâCase, Rth(châc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.57°C/W
Isolation Voltage, VISO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V
Electrical Characteristics: (Tch = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
DrainâSource Breakdown Voltage
GateâSource Leakage
V(BR)DSS VDS = 0V, ID = 1mA
IGSS VGS = ±20V, VDS = 0V
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS VDS = 60V, VGS = 0
Gate Threshold Voltage
VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA
Static DrainâSource ON Resistance
DrainâSource OnâState Voltage
Forward Transfer Admittance
RDS(on)
VDS(on)
|yfs|
VGS = 10V, ID = 35A
VGS = 10V, ID = 35A
VGS = 10V, ID = 35A
Min Typ Max Unit
60 â
â
V
â â ±0.1 µA
â â 0.1 mA
2.0 3.0 4.0 V
â 5.7 7.5 mâ¦
â 0.200 0.263 V
50 70 â
S
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