NTE2557 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NTE Electronics – Silicon NPN Transistor Darlington, High Voltage Switch, Power Amp

NTE2557
Silicon NPN Transistor
Darlington, High Voltage Switch, Power Amp
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, V_CBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Collector–Emitter Voltage, V_CEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Emitter–Base Voltage, V_EBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Collector Current, I_C
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22A
Base Current, I_B
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Total Transistor Dissipation (T_C = +25°C), P_T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Operating Junction Temperature, T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, T_stg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25°C/W
Electrical Characteristics: (T_C = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Transistion Frequency
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Turn–On Time
Storage Time
Fall Time
I_CBO
I_CEO
I_EBO
h_FE
f_T
V_CE(sat)
V_BE(sat)
t_on
t_stg
t_f
V_CB = 200V
V_CE = 200V
V_EB = 7V
V_CE = 3V, I_C = 10A
V_CE = 10V, I_C = 1.5A
I_C = 10A, I_B = 30mA
I_C = 10A, I_B = 30mA
I_B1 = I_B2 = 30mA,
I_C = 10A, R_L = 3Ω,
V_BB2 = 4V
Min Typ Max Unit
– – 0.1 mA
– – 0.1 mA
– – 5.0 mA
1500 – 30000
– 20 – MHz
– – 1.5 V
– – 2.0 V
––
2 µs
––
8 µs
––
5 µs