UCHS20A08 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Nihon Inter Electronics Corporation – Scokkty Barrier Diode

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ＵＣＨＳ２０Ａ０８
Schottky Barrier Diode
DSE-13056（1/2）
構造：ショットキーバリアダイオード（SBD）
Construction : Schottky Barrier Diode
用途：高周波整流用
Application : High-Frequency Rectification
特長
薄型 SMD
低熱抵抗
高電流
Tj=150℃
Feature
Lower Profile SMD
Lower Thermal-Resistance
High Current Capability
Tj=150℃
外形寸法図 OUTLINE DRAWING
Package : TO-263LP
Dimension : mm
■ Weight
: 0.59g（typ.）
■ Flammability : Epoxy Resin=UL94V-0 Recognized
■ 絶対最大定格（表示無き場合 Ta=25℃） Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ^oC unless otherwise stated)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
定格値
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
V_RRM
－
80
50Hz 正弦全波,抵抗負荷
平均整流電流
Average Rectified Output Current
I_O
Tc=117℃ VRM=40V
50H Full Sine Wave， Resistive Load
20
実効順電流
RMS Forward Current
I_F(RMS)
－
22.2
サージ順電流
Surge Forward Current
50Hz 正弦全波 1 サイクル 非繰り返し
I_FSM
50Hz Full Sine Wave，1 cycle，Non-repetitive
220
動作接合温度範囲
Operation Junction Temperature Range
Tjw
－
-40～+150
保存温度範囲
Storage Temperature Range
Tstg
－
-40～+150
単位
Units
V
A
A
A
℃
℃
■電気的・熱的特性 Electrical / Thermal Characteristics
項目
記号
条件
Item
Symbol
Conditions
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
I_RM
VRM=VRRM，Tj=25℃， Per diode
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
V_FM
IFM=10A，Tj=25℃，Per diode
接合容量
Junction Capacitance
Cj
f=100kHz，VR=10V，Per diode
熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(j-c)
接合部・ケース間 Junction to Case
最小値
min.
-
代表値
typ.
-
最大値
max.
150
単位
Units
μA
-
- 0.71 V
-
225
-
pF
-
-
2 ℃/W
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● The content specified herein is subject to change without notice.
Date of issue 2013.10.10