PTMB50E6C Datasheet, PDF (1/4 Pages) Nihon Inter Electronics Corporation – IGBT Module-Six Pack

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－ Ｓｉｘ Ｐａｃｋ
５０ Ａ，６００Ｖ
QS043-402-（2/5）
ＰＴＭＢ５０Ｅ６
ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
G1
E1
U
G2
E2
Pï¼´MB50E6
13
1
2
16
3
4
17
Pï¼´MB50E6C
G3
E3
V
G4
E4
5
6
15
7
8
G5
E5
W
G6
E6
9
10
14
11
12
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
5-fasten tab
#250
2-Ø 5.5
94
83
G1E1 G3E3 G5E5
93. 00
4× 15.24= 60.96
16.02 15.24 12.62
CL
17
13
UV
W
4-Ø 6.00
2-Ø 5.50
12-fasten tab
#110
G2 E2 G4E4 G6E6
15.5 18 18 15.75
5 13 5 13 5
2.50
1
12
3.81
8.00
11. 43
5× 11.43= 57.15
70. 40
107. 00
4-Ø 2.10
1.15× 1.00
LABEL
Pï¼´MB50E6
LABEL
104.20
Pï¼´MB50E6C
Dimension:ï¼»mmï¼½
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ_{ＣＥＳ}
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ_{ＧＥＳ}
コレクタ電流
ï¼£ollector ï¼£urrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
Ｉ_Ｃ
Ｉ_ＣＰ
ï¼°_ï¼£
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔ_ｊ
保存温度
ï¼³torage ï¼´emperature ï¼²ange
Ｔ_{ｓｔｇ}
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｖ_{ＩＳＯ}
締め付けトルク
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
ï¼­ounting ï¼´orque
Ｆ_{ｔｏｒ}
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
６００
±２０
５０
１００
２５０
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
２（２０.４）
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
ï¼·
℃
℃
Ｖ_{（ＲＭＳ）}
Ｎ・ｍ
(kgfï½¥cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
Ｉ_{ＣＥＳ}
Ｖ_ＣＥ= 600V, Ｖ_ＧＥ= 0V
－
－
１.０
ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｉ_{ＧＥＳ}
Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）} Ｉ_Ｃ= 50A,Ｖ_ＧＥ= 15V
－
２.１ ２.６
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}
Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 50mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃ_{ｉｅｓ}
Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ
－
2,500
－
ｐＦ
スイッチング時間
ï¼³witching ï¼´ime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
ï¼²ise ï¼´ime
ï¼´urn-on ï¼´ime
Ｆall Ｔime
ï¼´urn-off ï¼´ime
ｔ_ｒ
ｔ_ｏｎ
ｔ_ｆ
ｔ_{ｏｆｆ}
Ｖ_ＣＣ= 300V
Ｒ_Ｌ= 6.0Ω
Ｒ_Ｇ= 20Ω
Ｖ_ＧＥ= ±15V
－
０.１５ ０.３０
－
０.２５ ０.４０
μｓ
－
０.１０ ０.３５
－
０.３５ ０.７０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
Ｉ_Ｆ
Ｉ_ＦＭ
５０
Ａ
1００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
ï¼²everse ï¼²ecovery ï¼´ime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｖ_Ｆ
ｔ_ｒｒ
Ｉ_Ｆ= 50A,Ｖ_ＧＥ= 0V
Ｉ_Ｆ= 50A,Ｖ_ＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 100A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ï¼²th(j-c) ^{Junction to Case}
（Tc測定点チップ直下）
日本インター株式会社
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
１.９ ２.４
Ｖ
－
０.１５ ０.２５ μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.５０
1.１０
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
00