UCHD30A09_15 Datasheet, PDF (1/3 Pages) National Instruments Corporation – Schottky Barrier Diode

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ＵＣＨＤ３０Ａ０９
Schottky Barrier Diode
DSE-13058（1/3）
構造：ショットキーバリアダイオード（SBD）
Construction : Schottky Barrier Diode
用途：高周波整流用
Application : High-Frequency Rectification
特長
薄型 SMD
低熱抵抗
高電流
Tj=150℃
Feature
Lower Profile SMD
Lower Thermal-Resistance
High Current Capability
Tj=150℃
外形寸法図 OUTLINE DRAWING
Package : TO-263LP
Dimension : mm
■ Weight
: 0.59g（typ.）
■ Flammability : Epoxy Resin=UL94V-0 Recognized
■ 絶対最大定格（表示無き場合 Ta=25℃） Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ^oC unless otherwise stated)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
定格値
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
V_RRM
－
90
50Hz 正弦全波,抵抗負荷
平均整流電流
Average Rectified Output Current
I_O
Tc=111℃ VRM=45V
50H Full Sine Wave， Resistive Load
30
実効順電流
RMS Forward Current
I_F(RMS)
－
33.3
サージ順電流
Surge Forward Current
50Hz 正弦全波 1 サイクル 非繰り返し
I_FSM
50Hz Full Sine Wave，1 cycle，Non-repetitive
250
繰り返しピークサージ逆電力
Repetitive Peak surge Reverse Power
P_RRSM
パルス幅 10μs,1 素子当り,Tj=25℃
Pulse width 10 μs，per diode，Tj=25℃
195
動作接合温度範囲
Operation Junction Temperature Range
Tjw
－
-40～+150
保存温度範囲
Storage Temperature Range
Tstg
－
-40～+150
単位
Units
V
A
A
A
W
℃
℃
■電気的・熱的特性 Electrical / Thermal Characteristics
項目
記号
条件
Item
Symbol
Conditions
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
I_RM
VRM=VRRM，Tj=25℃， Per diode
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
V_FM
IFM=15A，Tj=25℃，Per diode
接合容量
Junction Capacitance
Cj
f=100kHz，VR=10V，Per diode
熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(j-c)
接合部・ケース間 Junction to Case
最小値
min.
-
代表値
typ.
-
最大値
max.
100
単位
Units
μA
-
- 0.79 V
-
370
-
pF
-
-
1.5 ℃/W
● 本資料の記載内容は製品改良などのため予告なく変更することがあります。
● The content specified herein is subject to change without notice.
Date of issue 2013.10.11