PTMB50B12C_15 Datasheet, PDF (1/3 Pages) National Instruments Corporation – IGBT

ＩＧＢＴ ^{Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｘ－Ｐａｃｋ}
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
13
1
2
16
3
17
4
5
6
15
7
8
9
10
14
11
12
５０ Ａ，１２００Ｖ
ＰＴＭＢ５０Ｂ１２Ｃ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
93. 00
4× 15.24= 60.96
16.02 15.24 12.62
CL
17
13
4-Ø 6.00
2-Ø 5.50
2. 50
1
12
3. 81
8. 00
11. 43
5× 11.43= 57.15
70.40
107.00
4-Ø 2.10
1.15× 1.00
LABEL
104. 20
Dimension:ï¼»mmï¼½
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ_{ＣＥＳ}
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ_{ＧＥＳ}
コレクタ電流
ï¼£ollector ï¼£urrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
Ｉ_Ｃ
Ｉ_ＣＰ
ï¼°_ï¼£
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔ_ｊ
保存温度
ï¼³torage ï¼´emperature ï¼²ange
Ｔ_{ｓｔｇ}
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｖ_{ＩＳＯ}
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
ï¼­ounting ï¼´orque
ï¼¢usbar to ï¼­ain ï¼´erminal
Ｆ_{ｔｏｒ}
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
ｱ２０
５０
１００
２５０
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
２（２０.４）
－
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
ï¼·
℃
℃
Ｖ_{（ＲＭＳ）}
Ｎ・ｍ
(kgfï½¥cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
Ｉ_{ＣＥＳ}
Ｖ_ＣＥ= 1200V,Ｖ_ＧＥ= 0V
－
－
１.０
ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｉ_{ＧＥＳ}
Ｖ_ＧＥ= ｱ20V,Ｖ_ＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）} Ｉ_Ｃ= 50A,Ｖ_ＧＥ= 15V
－
１.９ ２.４
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}
Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 50mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃ_{ｉｅｓ}
Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ
－
4,200
－
ｐＦ
スイッチング時間
ï¼³witching ï¼´ime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
ï¼²ise ï¼´ime
ï¼´urn-on ï¼´ime
Ｆall Ｔime
ï¼´urn-off ï¼´ime
ｔ_ｒ
ｔ_ｏｎ
ｔ_ｆ
ｔ_{ｏｆｆ}
Ｖ_ＣＣ= 600V
Ｒ_L= 12Ω
Ｒ_G= 20Ω
Ｖ_ＧＥ= ｱ15V
－
０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－
０.２５ ０.３５
－
０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
Ｉ_Ｆ
Ｉ_ＦＭ
５０
Ａ
１００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
ï¼²everse ï¼²ecovery ï¼´ime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｖ_Ｆ
ｔ_ｒｒ
Ｉ_Ｆ= 50A,Ｖ_ＧＥ= 0V
Ｉ_Ｆ= 50A,Ｖ_ＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 100A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ï¼²th(j-c) Junction to Case
日本インター株式会社
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
１.９ ２.４
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.５
１.０
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ