PRFMB150E6_15 Datasheet, PDF (1/4 Pages) National Instruments Corporation – IGBT

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
１５０ Ａ，６００Ｖ
ＰＲＦＭＢ１５０Ｅ６
ＰＲＦＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
(C2E1)
(E2)
1
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
94.0
80 ^±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
1
2
3
2-Ø6.5
7
6
94
80 ± 0 .2 5
12 11 12 11 12
1
2
3
2-Ø 5.5
7
6
3-M5
23.0
23.0 17.0
14 9 14 9 14
3-M5
4-fasten tab
#110 t=0.5
23
23
17
16 7 16 7 16
4-fasten tab
#110 t= 0.5
LABEL
LABEL
PRFMB150E6
PRFMB150E6C
Dimension:ï¼»mmï¼½
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コレクタ電流
ï¼£ollector ï¼£urrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｖ_{ＣＥＳ}
Ｖ_{ＧＥＳ}
Ｉ_Ｃ
Ｉ_ＣＰ
ï¼°_ï¼£
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
６００
±２０
１５０
３００
５６０
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
ï¼·
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保存温度
ï¼³torage ï¼´emperature ï¼²ange
Ｔ_ｊ
Ｔ_{ｓｔｇ}
－４０～＋１５０
℃
－４０～＋１２５
℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
ï¼­ounting ï¼´orque
ï¼¢usbar to ï¼­ain ï¼´erminal
Ｖ_{ＩＳＯ}
Ｆ_{ｔｏｒ}
PDMB150E6
２,５００
３（３０.６）
３（３０.６）
PDMB150E6ï¼£
Ｖ_{（ＲＭＳ）}
３（３０.６） Ｎ・ｍ
２（２０.４） ^{(kgf･cm)}
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｉ_{ＣＥＳ}
Ｖ_ＣＥ= 600V, Ｖ_ＧＥ= 0V
Ｉ_{ＧＥＳ}
Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
１.０
ｍＡ
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）} Ｉ_Ｃ= 150A,Ｖ_ＧＥ= 15V
－
２.１ ２.６
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}
Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 150mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
ï¼³witching ï¼´ime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
ï¼²ise ï¼´ime
ï¼´urn-on ï¼´ime
Ｆall Ｔime
ï¼´urn-off ï¼´ime
Ｃ_{ｉｅｓ}
ｔ_ｒ
ｔ_ｏｎ
ｔ_ｆ
ｔ_{ｏｆｆ}
Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ
Ｖ_ＣＣ= 300V
Ｒ_Ｌ= 2.0Ω
Ｒ_Ｇ= 5.1Ω
Ｖ_ＧＥ= ±15V
－
7,500
－
ｐＦ
－
０.１５ ０.３０
－
０.２５ ０.４０
μｓ
－
０.１０ ０.３５
－
０.３５ ０.７０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｉｔｅｍ
ＤＣ
１ｍｓ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｉ_Ｆ
Ｉ_ＦＭ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１５０
３００
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
ï¼²everse ï¼²ecovery ï¼´ime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｖ_Ｆ
ｔ_ｒｒ
Ｉ_Ｆ= 150A,Ｖ_ＧＥ= 0V
Ｉ_Ｆ= 150A,Ｖ_ＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 300A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ï¼²th(j-c) ^{Junction to Case}
（Tc測定点チップ直下）
日本インター株式会社
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
１.９ ２.４
Ｖ
－
０.１５ ０.２５ μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.２２
０.４５
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
00