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PBMB200E6_15 Datasheet, PDF (1/4 Pages) National Instruments Corporation – 200A, 600V
□ 回 路 図 : CIRCUIT
3
4
5
2
QMS7301-302M0709 (2/5)
Full Bridge IGBT Module
200A/600V
PBMB200E6
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
4-Ø 6.5
110.0
14
13
9
4-M6
1
2
3
1
7
6
11
12
8
9
10
24
25
25
24
93.0
18 7 18 7 18
8-fasten tab
#110
LABEL
Dimension:ï¼»mmï¼½
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (at TC=25°C unless otherwise specified)
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
G ate-E mitter V oltage
コレクタ電流
ï¼£ollector ï¼£urrent
DC
1ms
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
接
合
温
度
Junction Temperature Range
保
存
温
度
ï¼³torage ï¼´emperature ï¼²ange
絶 縁 耐 圧 (Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
締め付けトルク
ï¼­ounting ï¼´orque
Module Base to Heatsink
ï¼¢usbar to ï¼­ain ï¼´erminal
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
ï¼°ï¼£
Tj
Tstg
VISO
Ftor
Rated Value
600
±20
200
400
780
-40~+150
-40~+125
2,500
3(30.6)
Unit
V
V
A
ï¼·
℃
℃
V(RMS)
N・m
(kgfï½¥cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tj=25°C unless otherwise specified)
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
G ate-E mitter L eakage C urrent
Symbol
ICES
Test Condition
VCE= 600V,VGE= 0V
IGES
VGE= ±20V,VCE= 0V
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.0
Unit
mA
-
-
1.0
μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC= 200A,VGE= 15V
-
2.1 2.6
V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th)
VCE= 5V,IC= 200mA
4.0
-
8.0
V
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
ï¼³ witching ï¼´ ime
上 昇 時 間 Rise Time
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
Cies
tr
ton
tf
toff
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
VCC= 300V
RL= 1.5Ω
RG= 3.6Ω
VGE= ±15V
-
10,000
-
pF
-
0.15 0.30
-
0.25 0.40 μs
-
0.10 0.35
-
0.35 0.70
□ フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS(at TC=25°C) & CHARACTERISTICS(at Tj=25°C)
Item
順
電
流
F orward C urrent
DC
1ms
Symbol
IF
IFM
Rated Value
200
400
Unit
A
Characteristic
順
電
圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
ï¼²everse ï¼²ecovery ï¼´ime
Symbol
VF
trr
Test Condition
IF= 200A,VGE= 0V
IF= 200A,VGE= -10V
di/dt= 400A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱
抵
抗
T hermal I mpedance
IGBT
D iode
Symbol
ï¼²th(j-c)
Test Condition
Junction to Case
(Tcチップ直下での測定点)
Min.
-
Typ.
1.9
Max.
2.4
Unit
V
-
0.15 0.25 μs
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.16
0.38
Unit
℃/W