NB10HSA08_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) National Instruments Corporation – Schottky Barrier Diode

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ＮＢ１０ＨＳＡ０８
Schottky Barrier Diode
DSE-13051（1/2）
構造：ショットキーバリアダイオード（SBD）
Construction : Schottky Barrier Diode
用途：高周波整流用
Application : High-Frequency Rectification
特長
小型 SMD
低熱抵抗
高電流
Tj=150℃
Feature
Small SMD
Lower Thermal-Resistance
High Current Capability
Tj=150℃
外形寸法図 OUTLINE DRAWING
Package : NB
Dimension : mm
■ Weight
: 0.06g（typ.）
■ Flammability : Epoxy Resin=UL94V-0 Recognized
■ 絶対最大定格（表示無き場合 Ta=25℃） Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ^oC unless otherwise stated)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
定格値
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
V_RRM
－
80
平均整流電流
Average Rectified Output Current
50Hz 正弦全波通電
Tl=91℃，VRM=40V
10
I_O
抵抗負荷 *1
50H Full Sine Wave，
(Tl:Lead Temperature)
Ta=29℃ *2
Resistive Load
VRM=40V
3.0
実効順電流
RMS Forward Current
I_F(RMS)
－
11.1
サージ順電流
Surge Forward Current
50Hz 正弦全波 1 サイクル 非繰り返し
I_FSM
50Hz Full Sine Wave，1 cycle，Non-repetitive
120
動作接合温度範囲
Operation Junction Temperature Range
Tjw
－
-40～+150
保存温度範囲
Storage Temperature Range
Tstg
－
-40～+150
単位
Units
V
A
A
A
℃
℃
■電気的・熱的特性 Electrical / Thermal Characteristics
項目
記号
条件
最小値
Item
Symbol
Conditions
min.
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
I_RM
VRM=VRRM，Tj=25℃， Per diode
-
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
V_FM
IFM=5.0A，Tj=25℃，Per diode
-
接合容量
Junction Capacitance
Cj
f=100kHz，VR=10V，Per diode
熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(j-l) ^{接合部・リード間}
-
Junction to Lead
Rth(j-a)
接合部・周囲間
*2(ｶﾞﾗｴﾎﾟ基板実装)
-
Junction to Ambient
*1 : ｶｿｰﾄﾞｺﾓﾝ動作による／Common Cathode Operation
*2 : ﾌﾟﾘﾝﾄ基板実装 ／Glass-Epoxy Substrate Mounted (Soldering Land=2.0*1.5mm,2.0*3.5mm,Both Sides)
代表値
typ.
-
-
135
-
-
最大値
max.
100
0.7
-
7
60
単位
Units
µA
V
pF
℃/W
℃/W
● 本資料の記載内容は製品改良などのため予告なく変更することがあります。
● The content specified herein is subject to change without notice.
Date of issue:2013.9.25