30GFA40_2015 Datasheet, PDF (1/2 Pages) National Instruments Corporation – Fast Recovery Diode

3A Avg. 400Volts
30GFA40
Fast Recovery Diode
DSE-13049（1/2）
構造：拡散型シリコンダイオード（FRD），リード線型
Construction :Diffusion-type Silicon Diode，Axial Lead Type
用途：高周波整流用
Application : High-Frequency Rectification
特長
低ノイズ
高速
trr=30ns
Feature
Low Noise
High Speed Recovery
trr=30ns
外形寸法図 OUTLINE DRAWING
Package : Axial 7
Dimension : mm
■ Weight
: 1.05g（typ.）
■ Flammability : Epoxy Resin=UL94V-0 Recognized
■ 絶対最大定格（表示無き場合 Ta=25℃） Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ^oC unless otherwise stated)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
定格値
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
V_RRM
－
400
非くり返しピーク逆電圧
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
V_RSM
－
440
平均整流電流
Average Rectified Output Current
50Hz 正弦半波通電
I_O
抵抗負荷
Half Sine Wave，
Ta=30℃ *1
T1=92℃
Resistive Load
(T1:Lead Temperature)
1.35
3.0
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
I_F(RMS)
I_FSM
－
50Hz 正弦半波 1 サイクル 非繰り返し
50Hz half Sine Wave，1 cycle，Non-repetitive
4.71
60
動作接合温度範囲
Operation Junction Temperature Range
Tjw
－
-40～+150
保存温度範囲
Storage Temperature Range
Tstg
－
-40～+150
単位
Units
V
V
A
A
A
℃
℃
■電気的・熱的特性 Electrical / Thermal Characteristics
項目
Item
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
記号
Symbol
I_RM
条件
Conditions
VRM=VRRM，Tj=25℃
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
V_FM
IFM=3.0A，Tj=25℃
t_rr
IFM=3.0A，-di/dt=50A/µs，Tj=25℃
熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(j-a)
接合部・周囲間 Junction to Ambient *1
Rth(j-l)
接合部・リード間 Junction to Lead
*1 : 単体フィン無し／Without Fin or P.C. Board
最小値
min.
-
代表値
typ.
-
最大値
max.
20
単位
Units
µA
-
- 1.25 V
30
ns
-
-
90 ℃/W
-
-
15 ℃/W
● 本資料の記載内容は製品改良などのため予告なく変更することがあります。
● The content specified herein is subject to change without notice.
Date of issue:2013.10.2