NCE7580 Datasheet, PDF (1/7 Pages) Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd – NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

NCE7580
Pb-Free Product
新洁能 N 沟道增强型功率 MOSFET
描述
NCE7580采用先进的沟槽式技术提供低导通电阻(Rdson)，
低栅电荷，E_AS高且稳定性，一致性好。这种器件适合应用在
PWM，负载开关电路，UPS或其他的一些应用中。
基本特性
● V_DS=75V；I_D=80A@ V_GS=10V；
R_DS(ON)<8mΩ @ V_GS=10V
● 先进的沟槽工艺技术
● 专门的设计保证电流转化以及功率控制的应用
● 为保证低导通电阻而特有的高单胞密度设计
● 较大的电流以及击穿电压余量
● 雪崩能量保证 100%测试
产品概要
BV_DSS typ.
R_DS(ON) typ.
max.
I_D
84
V
6.5
mΩ
8.0
mΩ
80
A
UIS TESTED!
应用
● 功率转换
● 硬开关以及高频电路
● 不间断电源（UPS）
TO-220-3L 外形俯视图
内部原理图
封装打标和订购信息
器件打标
器件
NCE7580
7580
器件封装
TO-220-3L
表 1. 工作条件（TA=25`C 有特殊说明除外）
参数
漏源电压 (VGS=0V）
栅源电压 (VDS=0V)
漏极电流 (静态) at Tc=25℃
漏极电流 (静态) at Tc=100℃
漏极连续电流@脉冲电流 (注释 1)
二极管恢复电压峰值
最大功耗(Tc=25℃)
降额因数
单脉冲雪崩能量(注释 2)
工作结温以及存储温度范围
注释 1. 脉冲宽度受限于最大结温度
2. E_AS 测试条件：Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.3mH ,I_D=62A;
卷轴直径
-
带宽
-
符号
VDS
VGS
I_{D (DC)}
I_{D (DC)}
I_{DM (pluse)}
dv/dt
P_D
EAS
T_J,T_STG
极限值
75
±25
80
78
320
30
170
1.13
580
-55 To 175
数量
-
单位
V
V
A
A
A
V/ns
W
W/℃
mJ
℃
无锡新洁能功率半导体有限公司
第1 页
版本 1.1