SD-112 Datasheet, PDF (2/3 Pages) KODENSHI KOREA CORP. – Visible ray cut of Flat package

位置検出素子PSD POSITION SENSITIVITY DIODES
SD-112
■許容損失/周囲温度　PD /T a
（mW）
50
40
30
20
10
0
－20 0
20
40
60
80 （℃）
周囲温度　Ta
Ambient temperature
■光電流/照度特性　IL / EV
（μA）
10 ²
10 ¹
10 ⁰
10 ^－1
10 ¹
10 ²
10 ³
照度　Ev
Illuminance
Ta =25℃
T =2856K
10 ⁴ （lx）
■分光感度特性
（%）
100
Ta =25℃
80
60
40
20
0
400 500 600 700 800 900 1000 （nm）
波長　λ
Wavelength
■相対光電流/周囲温度特性
10
V R =1V
E V =1,000lx
1
0.1
■相対電極間抵抗/周囲温度特性
（%）
100
50
■暗電流/周囲温度特性　Id/Ta
（nA）
10 ²
V R =1V
10 ¹
10 ⁰
10 ^－1
－20
0
20
40
60
周囲温度　Ta
Ambient temperature
8 0 （℃）
0
－40 －20
0
20
40
60
周囲温度　Ta
Ambient temperature
80 （℃）
10 ^－2
－20
0
20
40
60
周囲温度　Ta
Ambient temperature
8 0 （℃）
■暗電流/逆電圧特性　Id/VR
（nA）
2.0
Ta =25℃
1.0
0
10
20
（V）
逆電圧　V R
Reverse voltage
■端子間容量/逆電圧特性　Ct/VR
（pF）
Ta =25℃
100
10
1
0.1
0.1
1
10
逆電圧　V R
Reverse voltage
100 （V）
■位置検出特性
（%）
100
IL1
50
Ta =25℃
V R =1V
光スポット径
φ100μm
－1 ← → ＋1
IL2
0
－1
0
＋ （1 mm）
光スポット位置
Position
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Sep.2012