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SG282 Datasheet, PDF (1/2 Pages) KODENSHI KOREA CORP. – PWB direct mount type
フォトインタラプタ PHOTOINTERRUPTER
SG282
外形寸法 DIMENSIONS (Unit : mm)
1
Anode Emitter
SG282は高出力赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタ
を組合わせた透過型フォトインタラプタです。高精度位置検出に
適した汎用インタラプタです。
SG282 is a transmission type photointerrupter combined high power
infrared LED with high sensitive phototransistor, suitable for highly
acurate position detecting.
AA断面
C0.8
光軸
Collector Mark
12
5.4
A
Cathode Collector
TOP VIEW
4.5
2-C0.3
4x0.25
A
2xφ0.7 -00.1
(9.65)
6.9±0.1
3.45±0.1
4x0.4
(2.54)
特長 FEATURES
● ギャップ幅 5.4mm
Gap width : 5.4mm
● 基板直付けタイプ
PWB direct mount type
● 位置決めボス付き
With the installation positioning boss
用途 APPLICATIONS
複写機、プリンタ、ATM、自動券売機
Copier, Printer, ATM, Ticket vending machine
最大定格 MAXIMUM RATINGS
(Ta=25℃)
Item
Symbol Rating Unit
許 容 損 失 Power Dissipation
PD
入 力 順 電 流 Forward Current
IF
Input 逆 電 圧 Reverse Voltage
VR
パ ル ス 順 電 流 Pulse Forward Current *1 IFP
75 mW
50
mA
5
V
1
A
コ レ ク タ 損 失 Collector Power Dissipation Pc
75 mW
出 力 コ レ ク タ 電 流 Collector Current
Ic
20
mA
Output コレクタ-エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage VCEO
30
V
エミッタ-コレクタ間電圧 Emitter-Collector Voltage VECO
5
V
動 作 温 度 Operating Temp. *2 Topr. -20~+85 ℃
保 存 温 度 Storage Temp. *2 Tstg. -30~+85 ℃
は ん だ 付 け 温 度 Soldering Temp. *3 Tsol.
260
℃
*1. パルス幅:tw≦100μs 周期:T=10ms
Pulse width:tw≦100μs period:T=10ms
*2. 氷結、結露の無き事
No icebound or dew
*3. ケース端面より1mm離れた所でt≦5s
For max. 5 seconds at the position of 1mm from the resin edge
電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS
Item
Symbol
Conditions
Min. Typ.
順
電
圧 Forward Voltage
VF
入力
Input 逆
電
流 Reverse Current
IR
IF=20mA
VR=5V
─
1.2
─
─
ピ ー ク 発 光 波 長 Peak Wavelength
λp
IF=20mA
─
940
出力
Output
暗
電
流 Collector Dark Current ICEO
VCE=10V, Ev=0 lx
─
1
光
電
流 Light Current
IC
IF=20mA, VCE=5V, 入光状態(Non-Shading) 0.5
─
漏 れ 電 流 Leakage Current
ICEOD
IF=20mA, VCE=5V, 遮光状態(Shading)
─
0.5
伝達特性
Transmission コレクタ-エミッタ間飽和電圧 C-E Saturation Voltage VCE(sat)
IF=20mA, IC=0.1mA
─
0.15
応 答 時 間 ( 立 ち 上 が り ) Rise Time
応 答 時 間 ( 立 ち 下 が り ) Fall Time
tr
─
4
VCC=5V, IC=2mA, RL=100Ω
tf
─
5
(Ta=25℃)
Max. Unit
1.5
V
10
μA
─
nm
100
nA
5
mA
10 μA
0.4
V
─
μs
─
μs
本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命の上、内容の確認をお願い致します。
The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product, please refer to the latest specifications.
Aug.2014