SG264 Datasheet, PDF (1/2 Pages) KODENSHI KOREA CORP. – With the installation positioning boss

フォトインタラプタ PHOTOINTERRUPTER
SG264
外形寸法 DIMENSIONS （Unit : mm）
Optical　Center
2
13.6
7.5
4.2
0.3
A
SG264は高出力赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタ
を組合わせた透過型フォトインタラプタです。高精度位置検出に
適した汎用インタラプタです。
SG264 is a transmission type photointerrupter combined high power
infrared LED with high sensitive phototransistor, suitable for highly
acurate position detecting.
A'
4x0.25
0.6
(6)
12
φ1.4
φ0.9
Collector
Anode
Emitter
Cathode
TOP VIEW　
0.4
4x0.4
(2.54)
A-A'SECTION　
特長 FEATURES
● ギャップ幅:　4.2mm
Gap width : 4.2mm
● _{基板直付けタイプ}
PWB direct mount type
● スナップイン取付け
Snap-in mount
● _{位置決めボス付き}
With the installation positioning boss
用途 APPLICATIONS
プリンタ
Printer
最大定格 MAXIMUM RATINGS
（Ta＝25℃）
Item
Symbol Rating Unit
許 容 損 失 Power Dissipation
PD
入 力 ^{順 電 流 Forward Current}
IF
Input 逆 電 圧 Reverse Voltage
VR
パ ル ス 順 電 流 Pulse Forward Current ^*1 IFP
75 mW
50 mA
5
V
0.5
A
コレクタ損失
出力 _{コ レ ク タ 電 流}
Output _{コレクタ-エミッタ間電圧}
Collector Power Dissipation
Collector Current
Collector-Emitter Voltage
Pc
Ic
VCEO
75 mW
20 mA
30
V
エミッタ-コレクタ間電圧 Emitter-Collector Voltage VECO
5
V
動 作 温 度 Operating Temp. ^*2 Topr. -20～+85 ℃
保 存 温 度 Storage Temp. ^*2 Tstg. -30～+100 ℃
は ん だ 付 け 温 度 Soldering Temp. ^*3 Tsol.
260
℃
＊1. パルス幅: ｔｗ≦100μs 周期: T=10ms
Pulse width: ｔｗ≦100μs Period: T=10ms
＊2. 氷結、結露の無き事
No icebound or dew
＊3. ケース端面より１mm離れた所でｔ≦5s
For max. 5 seconds at the position of 1mm from the resin edge
電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL　CHARACTERISTICS
Item
Symbol
Conditions
Min. Typ.
順
電
圧 Forward Voltage
VF
入力
Input ^逆
電
流 Reverse Current
IR
IF=20mA
VR=5V
─
1.2
─
─
ピ ー ク 発 光 波 長 Peak Wavelength
λp
IF=20mA
─
940
出力
Output
暗
電
流 Collector Dark Current ICEO
VCE=10V, Ev=0 lx
─
1
光
電
流 Light Current
IC
IF=20mA, VCE=5V, 入光状態(Non-Shading) 0.2
─
漏 れ 電 流 Leakage Current
ICEOD
IF=20mA, VCE=5V, 遮光状態(Shading)
─
0.5
伝達特性
Transmission ^{コレクタ-エミッタ間飽和電圧 C-E Saturation Voltage VCE(sat)}
IF=20mA, IC=0.1mA
─
0.15
応 答 時 間 （ 立 ち 上 が り ） Rise Time
応 答 時 間 （ 立 ち 下 が り ） Fall Time
tr
─
50
VCC=5V, IC=0.1mA, RL=1KΩ
tf
─
50
（Ta＝25℃）
Max. Unit
1.4
V
10
μA
─
nm
100
nA
5
mA
10
μA
0.4
V
─
μs
─
μs
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Aug.2014