SG256 Datasheet, PDF (1/2 Pages) KODENSHI KOREA CORP. – PWB direct mount type

フォトインタラプタ PHOTOINTERRUPTER
SG256
外形寸法 DIMENSIONS （Unit : mm）
A
Anode
Emitter
Cathode
Collector
A'
TOP VIEW　
Collector Mark　
C 0.8　
14
0.5
Optical Center　
5
SG256は高出力赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタ
を組合わせた透過型フォトインタラプタです。高精度位置検出に
適した汎用インタラプタです。
SG256 is a transmission type photointerrupter combined high power
infrared LED with high sensitive phototransistor, suitable for highly
acurate position detecting.
4x□0.45
2
(10.3)
6.6^±0.1
φ0.7
(2.54)
3.6
A-A'S　ECTION
特長 FEATURES
● ギャップ幅: 5 mm
Gap width : 5 mm
● _{基板直付けタイプ}
PWB direct mount type
● スナップイン取付け
Snap-in mount
用途 APPLICATIONS
プリンタ、アミューズメント機器
Printer, Amusement machine
最大定格 MAXIMUM RATINGS
（Ta＝25℃）
Item
Symbol Rating Unit
許 容 損 失 Power Dissipation
PD
入 力 ^{順 電 流 Forward Current}
IF
Input 逆 電 圧 Reverse Voltage
VR
パ ル ス 順 電 流 Pulse Forward Current ^*1 IFP
100 mW
60 mA
5
V
1
A
コレクタ損失
出力 _{コ レ ク タ 電 流}
Output _{コレクタ-エミッタ間電圧}
Collector Power Dissipation
Collector Current
Collector-Emitter Voltage
Pc
Ic
VCEO
100 mW
40 mA
30
V
エミッタ-コレクタ間電圧 Emitter-Collector Voltage VECO
5
V
動 作 温 度 Operating Temp. ^*2 Topr. -20～+85 ℃
保 存 温 度 Storage Temp. ^*2 Tstg. -30～+85 ℃
は ん だ 付 け 温 度 Soldering Temp. ^*3 Tsol.
260
℃
＊1. パルス幅:ｔｗ≦100μs 周期:T=10ms
Pulse width:ｔｗ≦100μs period:T=10ms
＊2. 氷結、結露の無き事
No icebound or dew
＊3. ケース端面より１mm離れた所でｔ≦5s
For max. 5 seconds at the position of 1mm from the resin edge
電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL　CHARACTERISTICS
Item
Symbol
Conditions
Min. Typ.
順
電
圧 Forward Voltage
VF
入力
Input ^逆
電
流 Reverse Current
IR
IF=20mA
VR=5V
─
1.2
─
─
ピ ー ク 発 光 波 長 Peak Wavelength
λp
IF=20mA
─
940
出力
Output
暗
電
流 Collector Dark Current ICEO
VCE=10V, Ev=0 lx
─
1
光
電
流 Light Current
IC
IF=20mA, VCE=5V, 入光状態(Non-Shading) 0.5
─
漏 れ 電 流 Leakage Current
ICEOD
IF=20mA, VCE=5V, 遮光状態(Shading)
─
0.5
伝達特性
Transmission ^{コレクタ-エミッタ間飽和電圧 C-E Saturation Voltage VCE(sat)}
IF=20mA, IC=0.1mA
─ 0.15
応 答 時 間 （ 立 ち 上 が り ） Rise Time
応 答 時 間 （ 立 ち 下 が り ） Fall Time
tr
─
4
VCC=5V, IC=2mA, RL=100Ω
tf
─
5
（Ta＝25℃）
Max. Unit
1.4
V
10
μA
─
nm
100 nA
10 mA
10
μA
0.4
V
─
μs
─
μs
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Jul.2014